三极管开关次数,关于三极管的开关作用

1、3极管开关次数

最少百万次。要看工作电流和温度，正常情况下还要看是什么材质的3极管，场效应的管子在1般情况下最少百万次。3极管，全称应为半导体3极管，也称双极型晶体管、晶体3极管，是1种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

2、关于3极管的开关作用

设作用就是让3极管工作在饱和态和截止态这2种状态下工作，饱和态要求是UB≥UC，所以基极输入脉冲的幅度要么是0，要么是UC的幅度才行。这样管子就从截止态直接进入饱和态，避开了放大区 进入开关工作状态了。扩展资料：截止状态当加在3极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为0，集电极电流和发射极电流都为0，3极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，即为3极管的截止状态。开关3极管处于截止状态的特征是发射结，集电结均处于反向偏置。导通状态当加在3极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并且当基极的电流增大到1定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某1定值附近不再怎么变化，此时3极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态，即为3极管的导通状态。开关3极管处于饱和导通状态的特征是发射结，集电结均处于正向偏置。而处于放大状态的3极管的特征是发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。这也是可以使用电压表测试发射结，集电结的电压值判定3极管工作状况的原理。开关3极管正是基于3极管的开关特性来工作的。工作模式3极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。3极管大都是塑料封装或金属封装，常见3极管的外观，有1个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型3极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是表示电流的方向。参考资料：百度百科——开关3极管 百度百科——3极管。

3、3极管开关导通后电源电压会拉低1段再起来

会。3极管的vcc电压会因为内阻，会导通但电源电压变低，3极管，全称应为半导体3极管，也称双极型晶体管、晶体3极管。

4、3极管开关电路原理，

1、截止状态当加在3极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为0，集电极电流和发射极电流都为0，3极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，即为3极管的截止状态。开关3极管处于截止状态的特征是发射结，集电结均处于反向偏置。

2、导通状态当加在3极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并且当基极的电流增大到1定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大。而是处于某1定值附近不再怎么变化，此时3极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态，即为3极管的导通状态。开关3极管处于饱和导通状态的特征是发射结，集电结均处于正向偏置。而处于放大状态的3极管的特征是发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。这也是可以使用电压表测试发射结，集电结的电压值判定3极管工作状况的原理。开关3极管正是基于3极管的开关特性来工作的。

3、工作模式3极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。3极管大都是塑料封装或金属封装，常见3极管的外观，有1个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型3极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是表示电流的方向。扩展资料3极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化。且变化满足1定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做3极管的放大倍数（β1般远大于1，例如几十，几百）。如果将1个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过1个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。参考资料来源：。

5、晶体3极管的开关速度取决于哪些因素?为什么MOS管的开关速度比晶体3极管慢?

【答案】：开通时间ton和关闭时间toff是影响电路工作速度的主要因素。由于MOS管导通时的漏源电阻rDS比晶体3极管的饱和电阻rCES要大得多，漏极外接电阻RD也比晶体管集电极电阻RC大，所以，MOS管的充、放电时间较长，使MOS管的开关速度比晶体3极管的开关速度低。

6、3极管开关速度的公式

晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。 如何提高晶体管的开关速度?——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。 (1)晶体管的开关时间： 晶体管的开关波形如图1所示。其中开启过程又分为延迟和上升两个过程，关断过程又分为存储和下降两个过程，则晶体管总的开关时间共有4个：延迟时间td，上升时间tr，存储时间ts和下降时间tf; ton=td+tr， toff=ts+tf 在不考虑晶体管的管壳电容、布线电容等所引起的附加电容的影响时，晶体管的开关时间就主要决定于其本身的结构、材料和使用条件。

1、 延迟时间td ： 延迟时间主要是对发射结和集电结势垒电容充电的时间常数。因此，减短延迟时间的主要措施，从器件设计来说，有如：减小发射结和集电结的面积(以减小势垒电容)和减小基极反向偏压的大小(以使得发射结能够尽快能进入正偏而开启晶体管);而从晶体管使用来说，可以增大输入基极电流脉冲的幅度，以加快对结电容的充电速度(但如果该基极电流太大，则将使晶体管在导通后的饱和深度增加，这反而又会增长存储时间，所以需要适当选取)。

2、 上升时间tr ： 上升导通时间是基区少子电荷积累到1定程度、导致晶体管达到临界饱和(即使集电结0偏)时所需要的时间。因此，减短上升时间的主要措施，从器件设计来说有如：增长基区的少子寿命(以使少子积累加快)，减小基区宽度和减小结面积(以减小临界饱和时的基区少子电荷量)，以及提高晶体管的特征频率fT(以在基区尽快建立起1定的少子浓度梯度，使集电极电流达到饱和);而从晶体管使用来说，可以增大基极输入电流脉冲的幅度，以加快向基区注入少子的速度(但基极电流也不能过大，否则将使存储时间延长)。

3、 存储时间ts ： 存储时间就是晶体管从过饱和状态(集电结正偏的状态)退出到临界饱和状态(集电结0偏的状态)所需要的时间，也就是基区和集电区中的过量存储电荷消失的时间;。而这些过量少子存储孝腊岩电荷的消失主要是依靠巧御复合作用来完成，所以从器件设计来说，减短存储时间的主要措施有如：在集电区掺Au等来减短集电区的少子寿命(以减少集电区的过量存储电荷和加速过量存储电荷的消失;但是基区少子寿局早命不能减得太短，否则会影。